FDMB668P
참조 용
| 부품 번호 | FDMB668P |
| PNEDA 부품 번호 | FDMB668P |
| 설명 | MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,906 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 22 - 2월 27 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDMB668P 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDMB668P |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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FDMB668P 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6.1A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 6.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 59nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2085pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 1.9W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-MLP, MicroFET (3x1.9) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerWDFN |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1377pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.9W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-252 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 7mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 35nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1800pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 48W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 900mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 41nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 785pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 83W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TO252-3 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
