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FDP75N08A

FDP75N08A

참조 용

부품 번호 FDP75N08A
PNEDA 부품 번호 FDP75N08A
설명 MOSFET N-CH 75V 75A TO-220
제조업체 ON Semiconductor
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FDP75N08A 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDP75N08A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FDP75N08A, FDP75N08A 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 1,272.61 KB)
PDFFDP75N08A 데이터 시트 표지
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FDP75N08A 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈UniFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs11mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs104nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4468pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)137W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220-3
패키지 / 케이스TO-220-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta), 40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 33µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1700pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta), 66W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TSDSON-8

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

NTB6410ANT4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

76A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 76A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

188W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF820

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™ II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

315pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

80W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

DMN2040UVT-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

667pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TSOT-26

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

IRF6602

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta), 48A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1420pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.3W (Ta), 42W (Tc)

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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