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FDMC86184

FDMC86184

참조 용

부품 번호 FDMC86184
PNEDA 부품 번호 FDMC86184
설명 MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 45,900
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMC86184 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMC86184
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FDMC86184, FDMC86184 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 313.13 KB)
PDFFDMC86184 데이터 시트 표지
FDMC86184 데이터 시트 페이지 2 FDMC86184 데이터 시트 페이지 3 FDMC86184 데이터 시트 페이지 4 FDMC86184 데이터 시트 페이지 5 FDMC86184 데이터 시트 페이지 6

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FDMC86184 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)57A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 110µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20nC @ 6V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2090pF @ 50V
FET 기능-
전력 손실 (최대)54W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-PQFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스8-PowerWDFN

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

750mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1820pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

ITO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

SFT1446-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

51mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

750pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta), 23W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TP-FA

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SQM110P06-8M9L_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

110A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7450pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

230W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263 (D²Pak)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

PSMN6R3-120ESQ

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

120V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

207.1nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11384pF @ 60V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

405W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 7A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 5V

Vgs (최대)

+6V, -4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

270pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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