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SFT1446-TL-H

SFT1446-TL-H

참조 용

부품 번호 SFT1446-TL-H
PNEDA 부품 번호 SFT1446-TL-H
설명 MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,622
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 17 - 11월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SFT1446-TL-H 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SFT1446-TL-H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SFT1446-TL-H, SFT1446-TL-H 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 412.59 KB)
PDFSFT1446-H 데이터 시트 표지
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  • SFT1446-TL-H Distributor

SFT1446-TL-H 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs51mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs16nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds750pF @ 20V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1W (Ta), 23W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TP-FA
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

135nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4730pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

208W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263 (D²Pak)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

600mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

390pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFU3704

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1996pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

90W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

IPAK (TO-251)

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRF7484Q

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

7V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 14A, 7V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

100nC @ 7V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3520pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

380mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 360µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

590pF @ 300V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

80W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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