FDME1024NZT
참조 용
| 부품 번호 | FDME1024NZT | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | FDME1024NZT | ||||||||||||||||||
| 설명 | MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 775 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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FDME1024NZT 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDME1024NZT |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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FDME1024NZT 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.8A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 66mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.2nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 300pF @ 10V |
| 전력-최대 | 600mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-UFDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1066pF @ 10V 전력-최대 1.25W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지 Micro8™ |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15.4A, 29.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 32nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1960pF @ 15V 전력-최대 1.13W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) |
제조업체 Microchip Technology 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss) 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 1A, 0V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.04nC @ 1.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1000pF @ 25V 전력-최대 - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x5) |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 140mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15.23nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 882.51pF @ 6V 전력-최대 1.15W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 공급자 장치 패키지 SOT-26 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A, 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 505pF @ 20V 전력-최대 1W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 SOT-28FL/VEC8 |
