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FDMS3622S

FDMS3622S

참조 용

부품 번호 FDMS3622S
PNEDA 부품 번호 FDMS3622S
설명 MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/34A PWR56
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 27,906
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 26 - 3월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMS3622S 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMS3622S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDMS3622S, FDMS3622S 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 458.76 KB)
PDFFDMS3622S 데이터 시트 표지
FDMS3622S 데이터 시트 페이지 2 FDMS3622S 데이터 시트 페이지 3 FDMS3622S 데이터 시트 페이지 4 FDMS3622S 데이터 시트 페이지 5 FDMS3622S 데이터 시트 페이지 6 FDMS3622S 데이터 시트 페이지 7 FDMS3622S 데이터 시트 페이지 8 FDMS3622S 데이터 시트 페이지 9 FDMS3622S 데이터 시트 페이지 10 FDMS3622S 데이터 시트 페이지 11

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FDMS3622S 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)17.5A, 34A
Rds On (최대) @ Id, Vgs5mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs26nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1570pF @ 13V
전력-최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지Power56

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A, 17A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2605pF @ 15V

전력-최대

2.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

12-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

12-Power3.3x5

FDMJ1023PZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

112mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

SC-75, MicroFET

APTC60DDAM70T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

39A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 2.7mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

259nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7000pF @ 25V

전력-최대

250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

SSM6N37FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12pF @ 10V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

ES6

DMGD7N45SSD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

450V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

256pF @ 25V

전력-최대

1.64W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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