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IRFI4024H-117P

IRFI4024H-117P

참조 용

부품 번호 IRFI4024H-117P
PNEDA 부품 번호 IRFI4024H-117P
설명 MOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5
제조업체 Infineon Technologies
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IRFI4024H-117P 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRFI4024H-117P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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IRFI4024H-117P 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)11A
Rds On (최대) @ Id, Vgs60mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs13nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds320pF @ 50V
전력-최대14W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-5 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220-5 Full-Pak

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

780pF @ 10V

전력-최대

800mW

작동 온도

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

450mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

27.6pF @ 16V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

330pF @ 25V

전력-최대

3W

작동 온도

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장착 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A, 3.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

165pF @ 10V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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