NTHD3100CT1
참조 용
| 부품 번호 | NTHD3100CT1 |
| PNEDA 부품 번호 | NTHD3100CT1 |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,932 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTHD3100CT1 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTHD3100CT1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NTHD3100CT1 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.9A, 3.2A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 165pF @ 10V |
| 전력-최대 | 1.1W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
| 공급자 장치 패키지 | ChipFET™ |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 112mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 210pF @ 20V 전력-최대 10W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® ChipFET™ Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® ChipFet Dual |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 41mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 840pF @ 30V 전력-최대 3.7W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
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제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 5.5V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 0.95mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 0.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 600pF @ 5V 전력-최대 2.5W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 20-UFLGA, CSP 공급자 장치 패키지 20-WLCSP (2.48x1.17) |
