SI5944DU-T1-E3
참조 용
| 부품 번호 | SI5944DU-T1-E3 |
| PNEDA 부품 번호 | SI5944DU-T1-E3 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,842 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SI5944DU-T1-E3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SI5944DU-T1-E3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SI5944DU-T1-E3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 3.3A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.6nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 210pF @ 20V |
| 전력-최대 | 10W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| 공급자 장치 패키지 | PowerPAK® ChipFet Dual |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 48mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1525pF @ 30V 전력-최대 - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 23mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.05V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 143pF @ 10V 전력-최대 920mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerUDFN 공급자 장치 패키지 U-DFN3030-8 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 500mA, 360mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.7Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 30pF @ 25V 전력-최대 450mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-563 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 35.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2360pF @ 6V 전력-최대 2.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지 X3-DSN2718-6 |
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