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SI5944DU-T1-E3

SI5944DU-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI5944DU-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI5944DU-T1-E3
설명 MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 4,842
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI5944DU-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI5944DU-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI5944DU-T1-E3, SI5944DU-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 119.54 KB)
PDFSI5944DU-T1-GE3 데이터 시트 표지
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SI5944DU-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs112mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds210pF @ 20V
전력-최대10W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerPAK® ChipFET™ Dual
공급자 장치 패키지PowerPAK® ChipFet Dual

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60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA, 360mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.7Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

30pF @ 25V

전력-최대

450mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

43mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2600pF @ 6V

전력-최대

550mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

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Diodes Incorporated

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1525pF @ 30V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.05V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

143pF @ 10V

전력-최대

920mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 1mA

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