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NVMFD5489NLT1G

NVMFD5489NLT1G

참조 용

부품 번호 NVMFD5489NLT1G
PNEDA 부품 번호 NVMFD5489NLT1G
설명 MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
제조업체 ON Semiconductor
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NVMFD5489NLT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NVMFD5489NLT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NVMFD5489NLT1G, NVMFD5489NLT1G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 136.66 KB)
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NVMFD5489NLT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs65mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds330pF @ 25V
전력-최대3W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc), 9.5A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V, 15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 25V, 600pF @ 25V

전력-최대

27W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

BUK9K8R7-40EX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.7nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2110pF @ 25V

전력-최대

53W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1021pF @ 30V

전력-최대

1.81W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

475pF @ 25V

전력-최대

25W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

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제조업체

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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