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FDS4885C

FDS4885C

참조 용

부품 번호 FDS4885C
PNEDA 부품 번호 FDS4885C
설명 MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,078
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 14 - 2월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDS4885C 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDS4885C
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDS4885C, FDS4885C 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 254.76 KB)
PDFFDS4885C 데이터 시트 표지
FDS4885C 데이터 시트 페이지 2 FDS4885C 데이터 시트 페이지 3 FDS4885C 데이터 시트 페이지 4 FDS4885C 데이터 시트 페이지 5 FDS4885C 데이터 시트 페이지 6 FDS4885C 데이터 시트 페이지 7 FDS4885C 데이터 시트 페이지 8

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FDS4885C 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7.5A, 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs21nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds900pF @ 20V
전력-최대900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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시리즈

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

59A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

540nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13600pF @ 100V

전력-최대

462W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

4 N-Channel, Matched Pair

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

20mV @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

16-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

16-PDIP

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16.7A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

584pF @ 25V

전력-최대

2.1W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

FDW2516NZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

745pF @ 10V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

IRF7757TR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1340pF @ 15V

전력-최대

1.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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