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FDS6990AS

FDS6990AS

참조 용

부품 번호 FDS6990AS
PNEDA 부품 번호 FDS6990AS
설명 MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 49,314
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDS6990AS 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDS6990AS
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDS6990AS, FDS6990AS 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 808.1 KB)
PDFFDS6990AS 데이터 시트 표지
FDS6990AS 데이터 시트 페이지 2 FDS6990AS 데이터 시트 페이지 3 FDS6990AS 데이터 시트 페이지 4 FDS6990AS 데이터 시트 페이지 5 FDS6990AS 데이터 시트 페이지 6 FDS6990AS 데이터 시트 페이지 7 FDS6990AS 데이터 시트 페이지 8 FDS6990AS 데이터 시트 페이지 9 FDS6990AS 데이터 시트 페이지 10

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FDS6990AS 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs14nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds550pF @ 15V
전력-최대900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

294mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

24.5pF @ 20V

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

880mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

260mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

155pF @ 20V

전력-최대

272mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

NTUD3174NZT5G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12.5pF @ 15V

전력-최대

125mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-963

공급자 장치 패키지

SOT-963

APTJC120AM13VCT1AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTM100AM90FG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

78A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

744nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20700pF @ 25V

전력-최대

1250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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