FDS8935
참조 용
| 부품 번호 | FDS8935 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | FDS8935 | ||||||||||||||||||
| 설명 | MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 2,944 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 5월 6 - 5월 11 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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FDS8935 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDS8935 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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FDS8935 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 80V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.1A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 183mOhm @ 2.1A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 879pF @ 40V |
| 전력-최대 | 1.6W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOIC |
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제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 AlphaMOS FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 22A (Tc), 85A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V 전력-최대 24W, 75W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/597 FET 유형 4 N-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 700mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 60nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 MO-036AB |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Ta), 2.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 610pF @ 10V, 1550pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1295pF @ 10V 전력-최대 1.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
