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FDS9926A

FDS9926A

참조 용

부품 번호 FDS9926A
PNEDA 부품 번호 FDS9926A
설명 MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 20,820
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDS9926A 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDS9926A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDS9926A, FDS9926A 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 233.73 KB)
PDFFDS9926A 데이터 시트 표지
FDS9926A 데이터 시트 페이지 2 FDS9926A 데이터 시트 페이지 3 FDS9926A 데이터 시트 페이지 4 FDS9926A 데이터 시트 페이지 5 FDS9926A 데이터 시트 페이지 6 FDS9926A 데이터 시트 페이지 7

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FDS9926A 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds650pF @ 10V
전력-최대900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

139A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

350nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9875pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

DMC25D0UVT-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V, 30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

400mA, 3.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.7nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

26.2pF @ 10V

전력-최대

1.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

TSOT-26

FD6M016N03

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Power-SPM™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.6mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

295nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11535pF @ 15V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

EPM15

공급자 장치 패키지

EPM15

FDG6335N

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

700mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 700mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

113pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88 (SC-70-6)

MCQ4559-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A, 3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

665pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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