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FDS9933A

FDS9933A

참조 용

부품 번호 FDS9933A
PNEDA 부품 번호 FDS9933A
설명 MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,784
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDS9933A 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDS9933A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDS9933A, FDS9933A 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 177.7 KB)
PDFFDS9933A 데이터 시트 표지
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FDS9933A 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds600pF @ 10V
전력-최대900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

45V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

53mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.4nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

460pF @ 10V

전력-최대

550mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A, 2.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

57mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

360pF @ 50V

전력-최대

2.4W, 3.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

AUIRF7309QTR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A, 3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 15V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DMN3022LFG-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A (Ta), 15A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

481pF @ 15V, 996pF @ 15V

전력-최대

1.96W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerLDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI3333-8 (Type D)

IRF7756

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 10V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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