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FDY2001PZ

FDY2001PZ

참조 용

부품 번호 FDY2001PZ
PNEDA 부품 번호 FDY2001PZ
설명 MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,794
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 3 - 3월 8 (신속 배송 선택)
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FDY2001PZ 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDY2001PZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDY2001PZ, FDY2001PZ 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 206.22 KB)
PDFFDY2001PZ 데이터 시트 표지
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FDY2001PZ 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)150mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs8Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds100pF @ 10V
전력-최대446mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SOT-563F

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

440mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.45pC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

32pF @ 25V

전력-최대

650mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

ZXMD65P03N8TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25.7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

930pF @ 25V

전력-최대

1.75W

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

CSD85302L

Texas Instruments

제조업체

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XFLGA

공급자 장치 패키지

4-Picostar (1.31x1.31)

SC8673010L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A, 40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 4.38mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5180pF @ 10V

전력-최대

1.7W, 2.5W

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

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제조업체

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 8.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 350µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

52nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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