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FGH15T120SMD-F155

FGH15T120SMD-F155

참조 용

부품 번호 FGH15T120SMD-F155
PNEDA 부품 번호 FGH15T120SMD-F155
설명 IGBT 1200V 30A 333W TO247-3
제조업체 ON Semiconductor
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FGH15T120SMD-F155 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGH15T120SMD-F155
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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FGH15T120SMD-F155 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)30A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 15A
전력-최대333W
에너지 전환1.15mJ (on), 460µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지128nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C32ns/490ns
테스트 조건600V, 15A, 34Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)72ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247 Long Leads

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

13A

전류-수집기 펄스 (Icm)

52A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

전력-최대

60W

에너지 전환

160µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

39ns/93ns

테스트 조건

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

STGW40H60DLFB

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

전력-최대

283W

에너지 전환

363µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

210nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/142ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

NGTB30N60FWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

전력-최대

167W

에너지 전환

650µJ (on), 650µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

81ns/190ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

72ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 30A

전력-최대

220W

에너지 전환

740µJ (on), 3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

80nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/330ns

테스트 조건

400V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

23ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

FGA90N30TU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 20A

전력-최대

219W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

87nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

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