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FGH40T65SHD-F155

FGH40T65SHD-F155

참조 용

부품 번호 FGH40T65SHD-F155
PNEDA 부품 번호 FGH40T65SHD-F155
설명 IGBT 650V 80A 268W TO-247
제조업체 ON Semiconductor
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGH40T65SHD-F155 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGH40T65SHD-F155
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGH40T65SHD-F155, FGH40T65SHD-F155 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 1,266.08 KB)
PDFFGH40T65SHD-F155 데이터 시트 표지
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FGH40T65SHD-F155 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 40A
전력-최대268W
에너지 전환1.01mJ (on), 297µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지72.2nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C19.2ns/65.6ns
테스트 조건400V, 40A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)31.8ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247 Long Leads

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

전력-최대

113W

에너지 전환

2.7mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

85nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/520ns

테스트 조건

600V, 15A, 56Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

IRG7PK42UD1-EPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

IXYS

시리즈

XPT™, GenX4™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

115A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

전력-최대

455W

에너지 전환

1.4mJ (on), 800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

66nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/115ns

테스트 조건

400V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 35A

전력-최대

350W

에너지 전환

3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/150ns

테스트 조건

960V, 35A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

9A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.52V @ 15V, 3A

전력-최대

60W

에너지 전환

52µJ (on), 30µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

1.6nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

5.5ns/22ns

테스트 조건

400V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

21ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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