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FJX597JHTF

FJX597JHTF

참조 용

부품 번호 FJX597JHTF
PNEDA 부품 번호 FJX597JHTF
설명 JFET N-CH 20V 0.1W SOT323
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $7.9214
100 ---------- $7.5501
250 ---------- $7.1788
500 ---------- $6.8075
750 ---------- $6.4980
1,000 ---------- $6.1886
재고 있음 69,018
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FJX597JHTF 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FJX597JHTF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
FJX597JHTF, FJX597JHTF 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 53.74 KB)
PDFFJX597JHTF 데이터 시트 표지
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FJX597JHTF 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)20V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)150µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id600mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3.5pF @ 5V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대100mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SC-70 (SOT323)

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ON Semiconductor

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N-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

3V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

8 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SuperSOT-3

MV2N4392

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제조업체

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시리즈

*

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

J175_D27Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

7mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

3V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

125 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

J111RL1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

35V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

3V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2SJ01630RL

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

600µA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

20mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1.5V @ 10µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

300 Ohms

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

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