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FMM150-0075X2F

FMM150-0075X2F

참조 용

부품 번호 FMM150-0075X2F
PNEDA 부품 번호 FMM150-0075X2F
설명 MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC-5
제조업체 IXYS
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FMM150-0075X2F 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FMM150-0075X2F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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FMM150-0075X2F 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™, TrenchT2™
FET 유형2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)120A
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs178nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds10500pF @ 25V
전력-최대170W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스ISOPLUSi5-Pak™
공급자 장치 패키지ISOPLUS i4-PAC™

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

630pF @ 10V

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1037pF @ 15V

전력-최대

3.6W, 4.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

700mA, 600mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 700mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

113pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

180pF @ 25V

전력-최대

1.25W

작동 온도

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