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FMM65-015P

FMM65-015P

참조 용

부품 번호 FMM65-015P
PNEDA 부품 번호 FMM65-015P
설명 MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 3,436
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FMM65-015P 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FMM65-015P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FMM65-015P, FMM65-015P 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 105.32 KB)
PDFFMM65-015P 데이터 시트 표지
FMM65-015P 데이터 시트 페이지 2

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FMM65-015P 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)65A
Rds On (최대) @ Id, Vgs22mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs230nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지ISOPLUS i4-PAC™

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ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Ta), 145A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.65mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 90µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

54nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3170pF @ 25V

전력-최대

3.5W (Ta), 125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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제조업체

Vishay Siliconix

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.3A (Tc), 5.3A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

535pF @ 15V, 528pF @ 15V

전력-최대

3.3W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SSM6L16FETE85LF

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 0.1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9.3pF @ 3V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

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CSD86330Q3D

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제조업체

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.6mOhm @ 14A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

920pF @ 12.5V

전력-최대

6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerLDFN

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

380pF @ 30V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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