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FMP26-02P

FMP26-02P

참조 용

부품 번호 FMP26-02P
PNEDA 부품 번호 FMP26-02P
설명 MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PAC
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 6,354
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FMP26-02P 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FMP26-02P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FMP26-02P, FMP26-02P 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 102.24 KB)
PDFFMP26-02P 데이터 시트 표지
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FMP26-02P 사양

제조업체IXYS
시리즈Polar™
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)26A, 17A
Rds On (최대) @ Id, Vgs60mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs70nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2720pF @ 25V
전력-최대125W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지ISOPLUS i4-PAC™

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.3A, 4.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

720pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

DMT3020LSD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

393pF @ 15V

전력-최대

1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

CSD87352Q5D

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.15V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1800pF @ 15V

전력-최대

8.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerLDFN

공급자 장치 패키지

8-LSON (5x6)

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EPC

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시리즈

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FET 유형

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FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 7mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.8nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

830pF @ 30V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

Die

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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