APTM120H140FT1G
참조 용
| 부품 번호 | APTM120H140FT1G |
| PNEDA 부품 번호 | APTM120H140FT1G |
| 설명 | MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,942 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 13 - 4월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTM120H140FT1G 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTM120H140FT1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTM120H140FT1G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.68Ohm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 145nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3812pF @ 25V |
| 전력-최대 | 208W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP1 |
| 공급자 장치 패키지 | SP1 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8.1A, 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 32mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 404.5pF @ 15V 전력-최대 2.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
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