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FQPF6N40CF

FQPF6N40CF

참조 용

부품 번호 FQPF6N40CF
PNEDA 부품 번호 FQPF6N40CF
설명 MOSFET N-CH 400V 6A TO-220F
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FQPF6N40CF 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FQPF6N40CF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FQPF6N40CF, FQPF6N40CF 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 1,245.24 KB)
PDFFQPF6N40CF 데이터 시트 표지
FQPF6N40CF 데이터 시트 페이지 2 FQPF6N40CF 데이터 시트 페이지 3 FQPF6N40CF 데이터 시트 페이지 4 FQPF6N40CF 데이터 시트 페이지 5 FQPF6N40CF 데이터 시트 페이지 6 FQPF6N40CF 데이터 시트 페이지 7 FQPF6N40CF 데이터 시트 페이지 8 FQPF6N40CF 데이터 시트 페이지 9 FQPF6N40CF 데이터 시트 페이지 10

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FQPF6N40CF 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈QFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds625pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)38W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220F
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

188pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

600mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FDP3682

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta), 32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 32A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1250pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

95W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

AOD514

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Ta), 46A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

951pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STL42N65M5

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ V

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta), 34A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

79mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4650pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 208W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerFlat™ (8x8) HV

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

PSMN3R5-40YSDX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.6V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3245pF @ 20V

FET 기능

Schottky Diode (Body)

전력 손실 (최대)

115W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

패키지 / 케이스

SC-100, SOT-669

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