FQS4900TF
참조 용
| 부품 번호 | FQS4900TF |
| PNEDA 부품 번호 | FQS4900TF |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOP |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,146 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 1 - 5월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FQS4900TF 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FQS4900TF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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FQS4900TF 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | QFET® |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V, 300V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.3A, 300mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 650mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.95V @ 20mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.1nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 2W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOIC |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 350mA, 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.58nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7pF @ 10V 전력-최대 800mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 6-MCPH |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10.7A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 10.8mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1870pF @ 10V 전력-최대 1.2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 PowerDI3333-8 |
