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FS50R07U1E4BPSA1

FS50R07U1E4BPSA1

참조 용

부품 번호 FS50R07U1E4BPSA1
PNEDA 부품 번호 FS50R07U1E4BPSA1
설명 MOD IGBT LOW PWR SMART1-1
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,424
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FS50R07U1E4BPSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FS50R07U1E4BPSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FS50R07U1E4BPSA1, FS50R07U1E4BPSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 1,265.62 KB)
PDFFS50R07U1E4BPSA1 데이터 시트 표지
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  • FS50R07U1E4BPSA1 Distributor

FS50R07U1E4BPSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)75A
전력-최대230W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce95pF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전력-최대

400W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

33nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FF600R12IE4BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

600A

전력-최대

3350W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT100A1202G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

140A

전력-최대

480W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SP2

공급자 장치 패키지

SP2

APTGF180H60G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

220A

전력-최대

833W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 180A

전류-수집기 차단 (최대)

300µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

APTGF50H120TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

312W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.45nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

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