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GMM3X120-0075X2-SMDSAM

GMM3X120-0075X2-SMDSAM

참조 용

부품 번호 GMM3X120-0075X2-SMDSAM
PNEDA 부품 번호 GMM3X120-0075X2-SMDSAM
설명 MOSFET 6N-CH 75V 110A 24-SMD
제조업체 IXYS
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GMM3X120-0075X2-SMDSAM 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GMM3X120-0075X2-SMDSAM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
GMM3X120-0075X2-SMDSAM, GMM3X120-0075X2-SMDSAM 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 304.22 KB)
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GMM3X120-0075X2-SMDSAM 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)110A
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs115nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지24-SMD

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

102mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

550pF @ 10V

전력-최대

485mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 3A, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

320pF @ 10V

전력-최대

4.8W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 4.8A, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2010pF @ 10V

전력-최대

450mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.6nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

914pF @ 6V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전력-최대

900mW

작동 온도

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