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GMM3X160-0055X2-SMD

GMM3X160-0055X2-SMD

참조 용

부품 번호 GMM3X160-0055X2-SMD
PNEDA 부품 번호 GMM3X160-0055X2-SMD
설명 MOSFET 6N-CH 55V 150A 24-SMD
제조업체 IXYS
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GMM3X160-0055X2-SMD 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GMM3X160-0055X2-SMD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
GMM3X160-0055X2-SMD, GMM3X160-0055X2-SMD 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 307.06 KB)
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GMM3X160-0055X2-SMD 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)150A
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs110nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-SMD, Gull Wing
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Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 6V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

500pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A, 5.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1060pF @ 20V

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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