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GMM3X180-004X2-SMDSAM

GMM3X180-004X2-SMDSAM

참조 용

부품 번호 GMM3X180-004X2-SMDSAM
PNEDA 부품 번호 GMM3X180-004X2-SMDSAM
설명 MOSFET 6N-CH 40V 180A 24-SMD
제조업체 IXYS
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재고 있음 5,400
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GMM3X180-004X2-SMDSAM 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GMM3X180-004X2-SMDSAM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
GMM3X180-004X2-SMDSAM, GMM3X180-004X2-SMDSAM 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 471.49 KB)
PDFGMM3X180-004X2-SMDSAM 데이터 시트 표지
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GMM3X180-004X2-SMDSAM 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)180A
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs110nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지24-SMD

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

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작동 온도

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시리즈

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

295A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 200A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 40mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

644nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11000pF @ 1000V

전력-최대

1250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2450pF @ 6V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

ZXMD63C03XTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

135mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

290pF @ 25V

전력-최대

1.04W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

455mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.41nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

31pF @ 15V

전력-최대

310mW

작동 온도

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