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GSID600A120S4B1

GSID600A120S4B1

참조 용

부품 번호 GSID600A120S4B1
PNEDA 부품 번호 GSID600A120S4B1
설명 SILICON IGBT MODULES
제조업체 Global Power Technologies Group
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 2 - 4월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GSID600A120S4B1 리소스

브랜드 Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GSID600A120S4B1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
GSID600A120S4B1, GSID600A120S4B1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 335.82 KB)
PDFGSID600A120S4B1 데이터 시트 표지
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  • GSID600A120S4B1 Distributor

GSID600A120S4B1 사양

제조업체Global Power Technologies Group
시리즈Amp+™
IGBT 유형-
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)1130A
전력-최대3060W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce51nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

2100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-25°C ~ 55°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT400TL65G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

구성

Three Phase Inverter with Brake

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전력-최대

390W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 77A

전류-수집기 차단 (최대)

200µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E2

공급자 장치 패키지

E2

MG12300WB-BN2MM

Littelfuse

제조업체

Littelfuse Inc.

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

500A

전력-최대

1400W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 300A (Typ)

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

WB

APTCV50H60T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT, Trench Field Stop

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전력-최대

176W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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