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GWM120-0075X1-SL

GWM120-0075X1-SL

참조 용

부품 번호 GWM120-0075X1-SL
PNEDA 부품 번호 GWM120-0075X1-SL
설명 MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GWM120-0075X1-SL 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GWM120-0075X1-SL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
GWM120-0075X1-SL, GWM120-0075X1-SL 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 629.8 KB)
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GWM120-0075X1-SL 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)110A
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs115nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스17-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지ISOPLUS-DIL™

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

400mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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17A (Tc), 30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

325pF @ 15V, 650pF @ 15V

전력-최대

16W, 16.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

39A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 2.7mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

259nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7000pF @ 25V

전력-최대

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제조업체

Vishay Siliconix

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

53mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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3241pF @ 15V

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