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GWM180-004X2-SLSAM

GWM180-004X2-SLSAM

참조 용

부품 번호 GWM180-004X2-SLSAM
PNEDA 부품 번호 GWM180-004X2-SLSAM
설명 MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 4,734
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GWM180-004X2-SLSAM 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GWM180-004X2-SLSAM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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GWM180-004X2-SLSAM 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)180A
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs110nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스17-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지ISOPLUS-DIL™

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60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A, 2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

380pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 4V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

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STL20DN10F7

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

67mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

408pF @ 50V

전력-최대

62.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 30µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2940pF @ 25V

전력-최대

65W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount, Wettable Flank

패키지 / 케이스

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Vgs (th) (최대) @ Id

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