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H11AG13SD

H11AG13SD

참조 용

부품 번호 H11AG13SD
PNEDA 부품 번호 H11AG13SD
설명 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,344
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 27 - 3월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

H11AG13SD 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호H11AG13SD
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
H11AG13SD, H11AG13SD 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 140.95 KB)
PDFH11AG3W 데이터 시트 표지
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H11AG13SD 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
채널 수1
전압-절연5300Vrms
전류 전송 비율 (최소)100% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대)-
켜기 / 끄기 시간 (일반)5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반)-
입력 유형DC
출력 유형Transistor with Base
전압-출력 (최대)30V
전류-출력 / 채널50mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.5V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대)50mA
Vce 포화 (최대)400mV
작동 온도-55°C ~ 100°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지6-SMD

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전압-절연

-

전류 전송 비율 (최소)

-

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

-

출력 유형

-

전압-출력 (최대)

-

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

6N139W

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

2500Vrms

전류 전송 비율 (최소)

500% @ 1.6mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

1.5µs, 7µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington with Base

전압-출력 (최대)

18V

전류-출력 / 채널

60mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.3V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

20mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

SFH618A-2

Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

63% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

125% @ 1mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

6µs, 5.5µs

상승 / 하강 시간 (일반)

3.5µs, 5µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

55V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.1V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

4-DIP

PC81713NSZ

Sharp Microelectronics

제조업체

Sharp Microelectronics

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

200% @ 500µA

전류 전송 비율 (최대)

500% @ 500µA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

4µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

10mA

Vce 포화 (최대)

200mV

작동 온도

-30°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

4-DIP

ACNT-H511-500E

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

7500Vrms

전류 전송 비율 (최소)

31% @ 12mA

전류 전송 비율 (최대)

80% @ 12mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

150ns, 400ns

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

24V

전류-출력 / 채널

12mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.45V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

20mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-40°C ~ 105°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.535", 13.60mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO Stretched

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