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HGT1N30N60A4D

HGT1N30N60A4D

참조 용

부품 번호 HGT1N30N60A4D
PNEDA 부품 번호 HGT1N30N60A4D
설명 IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $25.2998
100 ---------- $24.1139
250 ---------- $22.9280
500 ---------- $21.7421
750 ---------- $20.7538
1,000 ---------- $19.7655
재고 있음 242
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HGT1N30N60A4D 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HGT1N30N60A4D
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
HGT1N30N60A4D, HGT1N30N60A4D 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 145.08 KB)
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HGT1N30N60A4D 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)96A
전력-최대255W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지SOT-227B

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

201A

전력-최대

600W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.17V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FZ1000R12KF5NOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

FZ600R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

700A

전력-최대

3900W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.75V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

39nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FF600R07ME4B11BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

700A

전력-최대

1800W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGLQ75H65T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

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