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VS-ETF150Y65N

VS-ETF150Y65N

참조 용

부품 번호 VS-ETF150Y65N
PNEDA 부품 번호 VS-ETF150Y65N
설명 IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 5,562
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-ETF150Y65N 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-ETF150Y65N
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
VS-ETF150Y65N, VS-ETF150Y65N 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 262.69 KB)
PDFVS-ETF150Y65N 데이터 시트 표지
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  • VS-ETF150Y65N Distributor

VS-ETF150Y65N 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈FRED Pt®
IGBT 유형NPT
구성Half Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)201A
전력-최대600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.17V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대)-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도175°C (TJ)
장착 유형-
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65A

전력-최대

220W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.95nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

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구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

105A

전력-최대

630W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 75A (Typ)

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.52nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

S-3 Module

공급자 장치 패키지

S3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

960W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.7V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IRG5K75HF06A

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

140A

전력-최대

330W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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