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HGT1S14N36G3VLT

HGT1S14N36G3VLT

참조 용

부품 번호 HGT1S14N36G3VLT
PNEDA 부품 번호 HGT1S14N36G3VLT
설명 IGBT 390V 18A 100W TO262AA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,092
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 1 - 5월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HGT1S14N36G3VLT 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HGT1S14N36G3VLT
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
HGT1S14N36G3VLT, HGT1S14N36G3VLT 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 224.09 KB)
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HGT1S14N36G3VLT 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)390V
전류-수집기 (Ic) (최대)18A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 5V, 14A
전력-최대100W
에너지 전환-
입력 유형Logic
게이트 차지24nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-/7µs
테스트 조건300V, 7A, 25Ohm, 5V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
공급자 장치 패키지I2PAK (TO-262)

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

전력-최대

38W

에너지 전환

140µJ (on), 2.58mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/630ns

테스트 조건

480V, 8A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

FGH30S150P

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

전력-최대

500W

에너지 전환

1.16mJ (on), 900µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

369nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

32ns/492ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

NGB8245NT4G

Littelfuse

제조업체

Littelfuse Inc.

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 4V, 15A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

STGB10M65DF2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

전력-최대

115W

에너지 전환

120µJ (on), 270µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

28nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/91ns

테스트 조건

400V, 10A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

96ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

APT85GR120B2

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

170A

전류-수집기 펄스 (Icm)

340A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 85A

전력-최대

962W

에너지 전환

6mJ (on), 3.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

660nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

43ns/300ns

테스트 조건

600V, 85A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

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