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HGT1S14N36G3VLT

HGT1S14N36G3VLT

참조 용

부품 번호 HGT1S14N36G3VLT
PNEDA 부품 번호 HGT1S14N36G3VLT
설명 IGBT 390V 18A 100W TO262AA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,092
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HGT1S14N36G3VLT 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HGT1S14N36G3VLT
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
HGT1S14N36G3VLT, HGT1S14N36G3VLT 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 224.09 KB)
PDFHGT1S14N36G3VLT 데이터 시트 표지
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  • HGT1S14N36G3VLT Distributor

HGT1S14N36G3VLT 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)390V
전류-수집기 (Ic) (최대)18A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 5V, 14A
전력-최대100W
에너지 전환-
입력 유형Logic
게이트 차지24nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-/7µs
테스트 조건300V, 7A, 25Ohm, 5V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
공급자 장치 패키지I2PAK (TO-262)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

전력-최대

500W

에너지 전환

1.16mJ (on), 900µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

369nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

32ns/492ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IGB01N120H2ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

3.2A

전류-수집기 펄스 (Icm)

3.5A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 1A

전력-최대

28W

에너지 전환

140µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

8.6nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/370ns

테스트 조건

800V, 1A, 241Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3-2

STGB10M65DF2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

전력-최대

115W

에너지 전환

120µJ (on), 270µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

28nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/91ns

테스트 조건

400V, 10A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

96ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IXSH45N120

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 45A

전력-최대

300W

에너지 전환

21mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

150nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

80ns/400ns

테스트 조건

960V, 45A, 2.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXSH)

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

48A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

전력-최대

85W

에너지 전환

90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/60ns

테스트 조건

480V, 12A, 18Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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