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HGTG5N120BND

HGTG5N120BND

참조 용

부품 번호 HGTG5N120BND
PNEDA 부품 번호 HGTG5N120BND
설명 IGBT 1200V 21A 167W TO247
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,372
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HGTG5N120BND 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HGTG5N120BND
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
HGTG5N120BND, HGTG5N120BND 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 295.93 KB)
PDFHGTP5N120BND 데이터 시트 표지
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HGTG5N120BND 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)21A
전류-수집기 펄스 (Icm)40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 5A
전력-최대167W
에너지 전환450µJ (on), 390µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지53nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C22ns/160ns
테스트 조건960V, 5A, 25Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)65ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

140A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전력-최대

454W

에너지 전환

2.47mJ (on), 2.16mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

150nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/200ns

테스트 조건

400V, 75A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

155ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

STGWT30H65FB

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

전력-최대

260W

에너지 전환

151µJ (on), 293µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

149nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

37ns/146ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

IRG8P75N65UD1PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

TIG056BF-1E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

430V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

5V @ 15V, 240A

전력-최대

30W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/140ns

테스트 조건

320V, 240A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F-3FS

IRG4PH30K

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 10A

전력-최대

100W

에너지 전환

640µJ (on), 920µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

53nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/200ns

테스트 조건

960V, 10A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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