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IRG8P75N65UD1PBF

IRG8P75N65UD1PBF

참조 용

부품 번호 IRG8P75N65UD1PBF
PNEDA 부품 번호 IRG8P75N65UD1PBF
설명 G8 650V 75A CO-PAK-247
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,732
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG8P75N65UD1PBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG8P75N65UD1PBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • IRG8P75N65UD1PBF Distributor

IRG8P75N65UD1PBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic-
전력-최대-
에너지 전환-
입력 유형-
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

770nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

120ns/890ns

테스트 조건

600V, 100A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

20A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 5A

전력-최대

140W

에너지 전환

380µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

29nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/190ns

테스트 조건

850V, 10A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

NGTB15N135IHRWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1350V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.65V @ 15V, 15A

전력-최대

357W

에너지 전환

420µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

156nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/170ns

테스트 조건

600V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

AIHD03N60RFATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

7.5A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 2.5A

전력-최대

53.6W

에너지 전환

50µJ (on), 40µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

17.1nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/128ns

테스트 조건

400V, 2.5A, 68Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3-313

APT40GR120B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

88A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

전력-최대

500W

에너지 전환

1.38mJ (on), 906µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

210nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/163ns

테스트 조건

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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