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IAUT300N08S5N014ATMA1

IAUT300N08S5N014ATMA1

참조 용

부품 번호 IAUT300N08S5N014ATMA1
PNEDA 부품 번호 IAUT300N08S5N014ATMA1
설명 80V 300A 1.4MOHM TOLL
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,156
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IAUT300N08S5N014ATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IAUT300N08S5N014ATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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IAUT300N08S5N014ATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™-5
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)300A (DC)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.8V @ 230µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs187nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds13178pF @ 40V
FET 기능-
전력 손실 (최대)300W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PG-HSOF-8-1
패키지 / 케이스8-PowerSFN

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제조업체

IXYS

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

460mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

6.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

230W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

BSC882N03LSGATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

34V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3700pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-1

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

FCH170N60

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SuperFET® II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

170mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2860pF @ 380V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

227W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™, Polar3™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

28A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

260mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3560pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

695W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXFH)

패키지 / 케이스

TO-247-3

IPW65R150CFDFKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 900µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2340pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

195.3W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

패키지 / 케이스

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