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IDT71V3557SA75BGI

IDT71V3557SA75BGI

참조 용

부품 번호 IDT71V3557SA75BGI
PNEDA 부품 번호 IDT71V3557SA75BGI
설명 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
제조업체 IDT, Integrated Device Technology
단가 견적 요청
재고 있음 3,582
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IDT71V3557SA75BGI 리소스

브랜드 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IDT71V3557SA75BGI
분류반도체메모리 IC기억

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IDT71V3557SA75BGI 사양

제조업체IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간7.5ns
전압-공급3.135V ~ 3.465V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스119-BGA
공급자 장치 패키지119-PBGA (14x22)

관심을 가질만한 제품

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IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

1.125Mb (64K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

128-LQFP

공급자 장치 패키지

128-TQFP

MT41K512M8DA-107 AAT:P TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (8x10.5)

AS1C2M16P-70BIN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

32Mb (2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.6V ~ 3.3V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-FBGA (6x7)

IS43TR82560D-107MBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CY7C1520AV18-200BZXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

72Mb (2M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (15x17)

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