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IFS100B12N3E4B31BOSA1

IFS100B12N3E4B31BOSA1

참조 용

부품 번호 IFS100B12N3E4B31BOSA1
PNEDA 부품 번호 IFS100B12N3E4B31BOSA1
설명 MOD IGBT LOW PWR ECONO
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,240
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IFS100B12N3E4B31BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IFS100B12N3E4B31BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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IFS100B12N3E4B31BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)200A
전력-최대515W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce6.3nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전력-최대

500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 70A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

구성

Three Phase Inverter with Brake

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

28A

전력-최대

100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 16A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

MiniPack2

공급자 장치 패키지

MiniPack2

GB35XF120K

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

284W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.475nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ECONO2

공급자 장치 패키지

-

IRG5U75HF06A

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

330W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POWIR® 34 Module

공급자 장치 패키지

POWIR® 34

VS-GB75YF120UT

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

480W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.5V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

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