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IFS150B12N3E4B31BOSA1

IFS150B12N3E4B31BOSA1

참조 용

부품 번호 IFS150B12N3E4B31BOSA1
PNEDA 부품 번호 IFS150B12N3E4B31BOSA1
설명 MOD IGBT LOW PWR ECONO
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,390
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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IFS150B12N3E4B31BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IFS150B12N3E4B31BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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IFS150B12N3E4B31BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)300A
전력-최대750W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce9.35nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

350µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.85nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

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FP25R12KT3BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

155W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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Microsemi

제조업체

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시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Level Inverter - IGBT, FET

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

220A

전력-최대

695W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

APTGT30A60T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

90W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

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