IFS200V12PT4BOSA1
참조 용
| 부품 번호 | IFS200V12PT4BOSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IFS200V12PT4BOSA1 |
| 설명 | MODULE IPM MIPAQ-3 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,400 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 30 - 4월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IFS200V12PT4BOSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IFS200V12PT4BOSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-모듈 |
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IFS200V12PT4BOSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | - |
| IGBT 유형 | - |
| 구성 | Three Phase Inverter |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 1200V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 200A |
| 전력-최대 | - |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | - |
| 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce | - |
| 입력 | Standard |
| NTC 서미스터 | Yes |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | Module |
| 공급자 장치 패키지 | Module |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - IGBT 유형 - 구성 Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 200A 전력-최대 660W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대) 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 8.5nF @ 25V 입력 Standard NTC 서미스터 No 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지 POWIR® 34 |
