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IGW50N65F5AXKSA1

IGW50N65F5AXKSA1

참조 용

부품 번호 IGW50N65F5AXKSA1
PNEDA 부품 번호 IGW50N65F5AXKSA1
설명 IGBT 650V TO247-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,092
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 15 - 2월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IGW50N65F5AXKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IGW50N65F5AXKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IGW50N65F5AXKSA1, IGW50N65F5AXKSA1 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 1,847.71 KB)
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IGW50N65F5AXKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
전력-최대270W
에너지 전환490µJ (on), 140µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지108nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C21ns/156ns
테스트 조건400V, 25A, 12Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지PG-TO247-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 25A

전력-최대

305W

에너지 전환

1.6mJ (on), 1.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

240nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/245ns

테스트 조건

600V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

80ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

STGB20M65DF2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

M

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

전력-최대

166W

에너지 전환

140µJ (on), 560µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

63nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/108ns

테스트 조건

400V, 20A, 12Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

166ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

SGH40N60UFDM1TU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 20A

전력-최대

160W

에너지 전환

160µJ (on), 200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

97nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/65ns

테스트 조건

300V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

APT50GT120B2RDLG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Thunderbolt IGBT®

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

106A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

전력-최대

694W

에너지 전환

3585µJ (on), 1910µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

240nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/215ns

테스트 조건

800V, 50A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

-

STGD3NB60SD-1

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

25A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 3A

전력-최대

48W

에너지 전환

1.1mJ (on), 1.15mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

125µs/3.4µs

테스트 조건

480V, 3A, 1kOhm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1.7µs

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

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