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IHD06N60RA

IHD06N60RA

참조 용

부품 번호 IHD06N60RA
PNEDA 부품 번호 IHD06N60RA
설명 IGBT 600V 12A 88W TO252-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 24 - 1월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IHD06N60RA 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IHD06N60RA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IHD06N60RA, IHD06N60RA 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 2,395.25 KB)
PDFIHD06N60RA 데이터 시트 표지
IHD06N60RA 데이터 시트 페이지 2 IHD06N60RA 데이터 시트 페이지 3 IHD06N60RA 데이터 시트 페이지 4 IHD06N60RA 데이터 시트 페이지 5 IHD06N60RA 데이터 시트 페이지 6 IHD06N60RA 데이터 시트 페이지 7 IHD06N60RA 데이터 시트 페이지 8 IHD06N60RA 데이터 시트 페이지 9 IHD06N60RA 데이터 시트 페이지 10 IHD06N60RA 데이터 시트 페이지 11

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  • IHD06N60RA Distributor

IHD06N60RA 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈TrenchStop®
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)12A
전류-수집기 펄스 (Icm)18A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 6A
전력-최대88W
에너지 전환150µJ
입력 유형Standard
게이트 차지42nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C25ns/125ns
테스트 조건400V, 6A, 14.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지PG-TO252-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

21A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 8A

전력-최대

100W

에너지 전환

200µJ (on), 90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/100ns

테스트 조건

400V, 8A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

86ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IRG7PH42UDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

85A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

전력-최대

320W

에너지 전환

2.11mJ (on), 1.18mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

157nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/229ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

153ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

IXGT32N60C

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 32A

전력-최대

200W

에너지 전환

320µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/85ns

테스트 조건

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

5V @ 15V, 8A

전력-최대

120W

에너지 전환

900µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

65nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

36ns/200ns

테스트 조건

850V, 16A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

150ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

SGF23N60UFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

92A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 12A

전력-최대

75W

에너지 전환

115µJ (on), 135µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

49nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/60ns

테스트 조건

300V, 12A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-3PF

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FDS6910

ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

CAY10-330J4LF

CAY10-330J4LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 33 OHM 0804

SDP1108-R

SDP1108-R

Sensirion AG

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