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IKZ75N65NH5XKSA1

IKZ75N65NH5XKSA1

참조 용

부품 번호 IKZ75N65NH5XKSA1
PNEDA 부품 번호 IKZ75N65NH5XKSA1
설명 IGBT 650V 75A CO-PACK TO-247-4
제조업체 Infineon Technologies
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 3 - 3월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IKZ75N65NH5XKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IKZ75N65NH5XKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • IKZ75N65NH5XKSA1 Distributor

IKZ75N65NH5XKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈TrenchStop™ 5
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)90A
전류-수집기 펄스 (Icm)300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 75A
전력-최대395W
에너지 전환880µJ (on), 520µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지166nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C52ns/412ns
테스트 조건400V, 37.5A, 27Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)59ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-4
공급자 장치 패키지PG-TO247-4

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IRG4IBC30WPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

17A

전류-수집기 펄스 (Icm)

92A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

전력-최대

45W

에너지 전환

130µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/99ns

테스트 조건

480V, 12A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

FGP40N6S2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

전력-최대

290W

에너지 전환

115µJ (on), 195µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

35nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

8ns/35ns

테스트 조건

390V, 20A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

IRGIB10B60KD1P

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

32A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

전력-최대

44W

에너지 전환

156µJ (on), 165µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

41nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/180ns

테스트 조건

400V, 10A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

79ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

STGWA30N120KD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.85V @ 15V, 20A

전력-최대

220W

에너지 전환

2.4mJ (on), 4.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

105nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

36ns/251ns

테스트 조건

960V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

84ns

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

NGB8204NT4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

430V

전류-수집기 (Ic) (최대)

18A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 4V, 15A

전력-최대

115W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

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