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NGB8204NT4G

NGB8204NT4G

참조 용

부품 번호 NGB8204NT4G
PNEDA 부품 번호 NGB8204NT4G
설명 IGBT 430V 18A 115W D2PAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,798
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGB8204NT4G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGB8204NT4G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGB8204NT4G, NGB8204NT4G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 121.92 KB)
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  • NGB8204NT4G Distributor

NGB8204NT4G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)430V
전류-수집기 (Ic) (최대)18A
전류-수집기 펄스 (Icm)50A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 4V, 15A
전력-최대115W
에너지 전환-
입력 유형Logic
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

125A

전류-수집기 펄스 (Icm)

420A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 50A

전력-최대

660W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

210nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/205ns

테스트 조건

960V, 50A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1.7µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

TO-247PLUS-HV

IXBF9N160G

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

7A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

7V @ 15V, 5A

전력-최대

70W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

34nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

960V, 5A, 27Ohm, 10V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5 (3 Leads)

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

IXGT32N170

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 32A

전력-최대

350W

에너지 전환

11mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

155nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

45ns/270ns

테스트 조건

1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

IXGH32N60C

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 32A

전력-최대

200W

에너지 전환

320µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/85ns

테스트 조건

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

FGH50T65UPD

ON Semiconductor

제조업체

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 50A

전력-최대

340W

에너지 전환

2.7mJ (on), 740µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

230nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

32ns/160ns

테스트 조건

400V, 50A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

53ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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