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IHW30N100TFKSA1

IHW30N100TFKSA1

참조 용

부품 번호 IHW30N100TFKSA1
PNEDA 부품 번호 IHW30N100TFKSA1
설명 IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,316
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IHW30N100TFKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IHW30N100TFKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IHW30N100TFKSA1, IHW30N100TFKSA1 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 313.22 KB)
PDFIHW30N100TFKSA1 데이터 시트 표지
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  • IHW30N100TFKSA1 Distributor

IHW30N100TFKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈TrenchStop®
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1000V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 30A
전력-최대412W
에너지 전환1.6mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지217nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C35ns/546ns
테스트 조건600V, 30A, 15Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지PG-TO247-3

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Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전력-최대

395W

에너지 전환

2.25mJ (on), 950µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

160nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/174ns

테스트 조건

400V, 75A, 8Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

260A

전류-수집기 펄스 (Icm)

580A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 82A

전력-최대

1250W

에너지 전환

5.5mJ (on), 12.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

340nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

34ns/265ns

테스트 조건

600V, 80A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 (IXGK)

IRG4BC20U-S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

52A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

전력-최대

60W

에너지 전환

100µJ (on), 120µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/86ns

테스트 조건

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

SGP5N60RUFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

15A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 5A

전력-최대

60W

에너지 전환

88µJ (on), 107µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

16nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/34ns

테스트 조건

300V, 5A, 40Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

55ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 28A

전력-최대

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에너지 전환

2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

92nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/180ns

테스트 조건

960V, 28A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

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