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IKD03N60RFATMA1

IKD03N60RFATMA1

참조 용

부품 번호 IKD03N60RFATMA1
PNEDA 부품 번호 IKD03N60RFATMA1
설명 IGBT 600V 6.5A TO252-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,366
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 22 - 3월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IKD03N60RFATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IKD03N60RFATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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IKD03N60RFATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈TrenchStop™
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)6.5A
전류-수집기 펄스 (Icm)7.5A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 2.5A
전력-최대53.6W
에너지 전환50µJ (on), 40µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지17.1nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C10ns/128ns
테스트 조건400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)31ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지PG-TO252-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전력-최대

483W

에너지 전환

4.4mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

185nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/290ns

테스트 조건

600V, 40A, 12Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

355ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

RGT60TS65DGC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

전력-최대

194W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

58nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

29ns/100ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

58ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

RGCL60TS60GC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

전력-최대

111W

에너지 전환

770µJ (on), 1.11mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

68nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

44ns/186ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

APT102GA60L

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

183A

전류-수집기 펄스 (Icm)

307A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 62A

전력-최대

780W

에너지 전환

1.354mJ (on), 1.614mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

294nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/212ns

테스트 조건

400V, 62A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 [L]

GA35XCP12-247

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

35A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 35A

전력-최대

-

에너지 전환

2.66mJ (on), 4.35mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

800V, 35A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

36ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AB

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