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IKD04N60RAATMA1

IKD04N60RAATMA1

참조 용

부품 번호 IKD04N60RAATMA1
PNEDA 부품 번호 IKD04N60RAATMA1
설명 IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
제조업체 Infineon Technologies
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재고 있음 5,544
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IKD04N60RAATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IKD04N60RAATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IKD04N60RAATMA1, IKD04N60RAATMA1 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 2,399.55 KB)
PDFIKD04N60RAATMA1 데이터 시트 표지
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IKD04N60RAATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈TrenchStop™
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)8A
전류-수집기 펄스 (Icm)12A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 4A
전력-최대75W
에너지 전환90µJ (on), 150µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지27nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C14ns/146ns
테스트 조건400V, 4A, 43Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)43ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지PG-TO252-3

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 12A

전력-최대

150W

에너지 전환

160µJ (on), 120µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

24nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/73ns

테스트 조건

400V, 12A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (IXGA)

IRGP4050

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

250V

전류-수집기 (Ic) (최대)

104A

전류-수집기 펄스 (Icm)

208A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전력-최대

330W

에너지 전환

45µJ (on), 125µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

230nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

37ns/120ns

테스트 조건

180V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

STGW8M120DF3

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

M

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

32A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 8A

전력-최대

167W

에너지 전환

390µJ (on), 370µJ (Off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/126ns

테스트 조건

600V, 8A, 33Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

103ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

HGTG10N120BND

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

전력-최대

298W

에너지 전환

850µJ (on), 800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/165ns

테스트 조건

960V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

STGWT80H65FB

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 80A

전력-최대

469W

에너지 전환

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

414nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

84ns/280ns

테스트 조건

400V, 80A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

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